超流氦电荷耦合器件上电子的空间分布
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1
摘要
漂浮在超流氦表面的电子被认为是有前景的可移动自旋量子比特。利用标准硅工艺制备的宽度为 3 微米的沟道通过毛细作用被超流氦填充。光发射出的电子由施加在底部栅极上的电压所束缚。这些栅极按三相电荷耦合器件(CCD)方式连接。从每沟道约一个电子的初始状态出发,在驱动 个像素的过程中未检测到任何传输误差。其中一条沟道及其相关栅极垂直于其余 120 条沟道,从而构成一种可在各沟道之间传输电子的 CCD。该垂直沟道不仅表现出高效的电子输运能力,还可用于测量 120 条平行沟道中电子占据的均匀性。
引用
@article{arxiv.1110.0193,
title = {Spatial distribution of electrons on a superfluid helium charge-coupled device},
author = {Maika Takita and F. R. Bradbury and T. M. Gurrieri and K. J. Wilkel and Kevin Eng and M. S. Carroll and S. A. Lyon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.0193},
year = {2015}
}