基于金属辅助化学刻蚀的硅电子倍增传感器制备及其表征

硅电子倍增（SiEM）传感器是一种新型传感器概念，通过传感器体内嵌入式金属电极产生的高电场实现电荷倍增。采用以铂为催化剂的气相金属辅助化学刻蚀（MacEtch）制备了由垂直排列的硅柱和硅条组成的测试结构，其位于硅衬底之上。硅柱高度超过 10 $\mu m$，直径为 1.0 $\mu m$，以间距 1.5 $\mu m$ 的六方晶格排列。通过扫描电子显微镜内及气候室中的电流—电压测量进行的电学表征表明，MacEtch 工艺与有源介质和 p-n 结兼容。