4.7 eV激光辐射在SiO₂中诱导的E'中心的稳定性
材料科学
2009-11-13 v1 无序系统与神经网络
摘要
通过原位光吸收光谱法研究了4.7 eV脉冲激光辐照在干燥熔融石英中诱导的E'中心（硅悬挂键）的动力学。讨论了受辐射分解起源的移动氢反应影响的缺陷稳定性，并与在湿法熔融石英上进行的类似实验结果进行了比较。一部分E'中心和氢很可能是由激光诱导的Si-H前驱体断裂产生的，而另一部分顺磁中心则来自其他形成机制。两种类型的E'都参与了与H₂的反应，导致辐照后缺陷的衰减。这种退火过程随着温度降低而减慢，并在T=200K时冻结，这与H₂在二氧化硅中的扩散特性一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703066,
title = {Stability of E' centers induced by 4.7eV laser radiation in SiO2},
author = {F. Messina and M. Cannas},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703066},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 3 figures, in press on J. Non cryst. solids (2007)