氢化无定形硅中的热刺激 H 释放与扩散
材料科学
2009-11-11 v2
摘要
我们报告了对氢化无定形硅中氢动力学的第一性原理 ab initio 密度泵函计算。宿主 Si 原子的热运动驱动 H 扩散，我们通过直接模拟演示并用简单模型解释。Si-Si 键中心和 Si 环中心是局部能量最小值，如预期。我们还描述了一种新的机制，用于破坏 Si-H 键释放自由原子 H 至网络中：一种由结构波动中心脱离 (FBCD) 支持的扩散。无定形相中 H 的动力学主要由固有结构波动主导，这些波动在晶体中不存在。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611375,
title = {Thermally stimulated H emission and diffusion in hydrogenated amorphous silicon},
author = {T. A. Abtew and F. Inam and D. A. Drabold},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611375},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures, In press EPL (Jun. 2007)