硅中 H$^-$ 热电子发射的第一性原理计算
材料科学
2020-05-29 v1
摘要
氢杂质的热电子发射过程是半导体基础物理中的一个重要课题。尽管经历了数十年的研究，其理论尚未建立。在此，我们利用第一性原理计算研究了硅中 的过程，即 。我们的计算表明该过程包含两步：H 从四面体位点缓慢扩散至键中心位点（为限速步骤），以及随后在体心位点发生的从 到 的较快非辐射跃迁。计算所得速率与深能级瞬态谱实验一致。
引用
@article{arxiv.2005.14103,
title = {First-principles calculations of thermal electron emission from H$^-$ in silicon},
author = {Yoshiyuki Yamamoto and Alpin Novianus Tatan and Osamu Sugino},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.14103},
year = {2020}
}