均匀与非均匀氧化铟锡薄膜中的电子退相干

我们在 0.3--90 K 的宽温度范围内研究了二维均匀和非均匀氧化铟锡薄膜中的电子退相干过程。我们发现，小能量转移的电子 - 电子（$e$-$e$）散射过程在几 K 到几十 K 的温度范围内主导了退相干。在更高温度下，观察到了向大能量转移 $e$-$e$ 散射过程的交叉。在约 1--2 K 以下，退相干时间 $\tau_\varphi$ 表现出非常弱的温度依赖性，有趣的是，它近似与电子扩散常数 $D$ 成反比，即 $\tau_\varphi (T \approx 0.3 \, {\rm K}) \propto 1/D$。文中讨论了我们结果的理论意义，并阐述了为何在这种低载流子浓度材料中电子 - 声子弛豫率可忽略不计。