无序 Cu$_{93}$Ge$_4$Au$_3$ 薄膜中强电子退相干的观测
介观与纳米尺度物理
2011-11-10 v1
摘要
我们报道了在一系列无序 CuGeAu 薄膜中对强电子退相干的观测。研究发现，在 6 K 附近存在极弱的温度依赖性的极短电子退相干时间，随后在温度降至 4 K 以下时出现回升。在更加无序的样品中，这种回升逐渐变得更加显著。此外，在薄膜中观察到了从 10 K 以上一直持续到 30 mK 的、依赖于 ln 但对高磁场不敏感的电阻上升。这些结果暗示了一种非磁性退相干过程，其强度强于任何已知机制，可能源于传导电子与动态缺陷的耦合。
引用
@article{arxiv.0706.2913,
title = {Observation of strong electron dephasing in disordered Cu$_{93}$Ge$_4$Au$_3$ thin films},
author = {S. M. Huang and T. C. Lee and H. Akimoto and K. Kono and J. J. Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.2913},
year = {2011}
}
备注
to appear in Phys. Rev. Lett