无序导体中电子的相位弛豫

在低温下，无序金属和重掺杂半导体中的传导电子能长时间保持其相位相干性：相位弛豫时间 $\tau_\phi$ 可能比动量弛豫时间长几个数量级。这两个时间尺度的巨大差异导致了众所周知的弱局域化效应，例如反常磁阻。在这些其他有趣的特征中，对这些效应的研究提供了关于退相干速率 $1/\tau_\phi$ 的定量信息。该参数具有根本性的意义：$\hbar/\tau_\phi$ 与温度 $T$（电子的典型能量尺度）之间的关系决定了单电子态的定义程度。我们将讨论 $1/\tau_\phi$ 在不同情况下的基本物理含义及其与能量弛豫速率的区别。在低温下，相位弛豫速率由电子间的碰撞主导。我们将回顾关于这些碰撞（或等效地，样品内部电噪声）导致的退相干的现有理论。我们还讨论了最近关于一维系统磁阻的实验：其中一些实验显示 $1/\tau_\phi$ 在低温下饱和，而另一些则没有。为解决这一矛盾，我们讨论了外部微波场和非平衡电噪声引起的退相干。