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三维无序金属中电子退相位的普适饱和

无序系统与神经网络 2009-05-05 v2 介观与纳米尺度物理

摘要

我们系统研究了四十多种具有不同材料特性的三维多晶杂质金属中的低温电子退相位时间 τϕ\tau_\phi。在所有情况下,在约几开尔文以下的温度均观察到退相位时间的饱和,具体数值取决于样品。所有样品中饱和退相位时间 τ0\tau_0 [即 τϕ(T0K)\tau_\phi (T \to 0 {\rm K})] 的值基本落在 0.005 至 0.5 纳秒的范围内。特别地,我们发现 τ0\tau_0 与电子扩散常数 DD 满足标度关系 τ0Dα\tau_0 \sim D^{- \alpha},其中 α\alpha 接近或略大于 1,DD 在约 0.1 至 10 cm2^2/s 的两个数量级范围内均成立。我们的观察表明,τϕ\tau_\phi 的饱和行为在三维多晶杂质金属中是普适且固有的。目前尚无完整的理论解释。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0007417,
  title  = {Universal saturation of electron dephasing in three-dimensional disordered metals},
  author = {J. J. Lin and L. Y. Kao},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0007417},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 3 eps figures