退火对三维多晶金属电子相位耗散的影响
介观与纳米尺度物理
2009-05-05 v1
摘要
我们研究了热退火对三维多晶金属中电子相位耗散时间 的影响。对作为沉积后和退火后的AuPd和Sb厚膜进行测量，采用弱定位法。所有样品中发现， 在 时具有极强的温度依赖性。我们的结果表明，退火效应是非普适的，取决于沉积过程中引入的无序程度。观察到的 的“饱和”行为难以用磁性散射来解释。我们建议，饱和问题应在三维结构而非低维结构中更好地阐述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0112421,
title = {Effect of annealing on electron dephasing in three-dimensional polycrystalline metals},
author = {J. J. Lin and Y. L. Zhong and T. J. Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0112421},
year = {2009}
}