非晶二氧化硅中本征顺磁点缺陷微观结构的实验研究
其他凝聚态物理
2007-11-27 v1 材料科学
摘要
本博士论文报告了对多种非晶二氧化硅（a-SiO2）材料在伽马射线和贝塔射线辐照及后续热处理效应方面的实验研究，这些材料在生产方法、OH-和铝含量以及氧缺陷方面各不相同。我们的主要目标是进一步深入了解 E'_gamma、E'_delta、E'_alpha 和三重态顺磁中心的微观结构，这些是 a-SiO2 中最重要的且被广泛研究的辐射诱导本征点缺陷类别之一。为实现这一目标，我们主要采用电子顺磁共振（EPR）波谱学。特别是，我们的工作聚焦于缺陷中涉及的未配对电子波函数的性质，这一方面主要通过研究未配对电子与 29Si 磁性原子核（核自旋 I=1/2，自然丰度 4.7%）相互作用产生的 EPR 信号来调查。此外，在某些感兴趣的情况下，还进行了光吸收（OA）测量，旨在进一步表征缺陷的电子性质。此外，鉴于其对电子应用的相关性，我们通过研究产生相关缺陷的过程来调查缺陷的电荷态。在获得这些信息后，我们推导出可作为缺陷形成前体的可能位点，其最终目的是在未来获得具有更强抗辐射能力的 a-SiO2 材料，从而显著降低与点缺陷相关的有害影响。
引用
@article{arxiv.0711.4029,
title = {Experimental investigation on the microscopic structure of intrinsic paramagnetic point defects in amorphous silicon dioxide},
author = {G. Buscarino},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.4029},
year = {2007}
}
备注
PhD Thesis