质子辐照在β-Ga2O3中诱导的缺陷：一项EPR与理论结合的研究
材料科学
2018-11-14 v1
摘要
对n型与半绝缘块体β-Ga2O3样品进行质子辐照，导致形成一种自旋S=1/2、单斜点对称性、g张量主值为gb=2.0313、gc=2.0079、ga*=2.0025且与两个等价Ga近邻具有13G准各向同性超超精细相互作用的顺磁缺陷。其高引入率表明其为初级辐照诱导缺陷。低温下，光激发将该缺陷转化为另一亚稳态S=1/2中心，其g主值为gb=2.0064、gc=2.0464、ga*=2.0024，超精细相互作用降至9G。该亚稳态缺陷在T=100K以下稳定，此后切换回先前构型。利用包含规范包含投影缀加波方法，对各种本征缺陷的自旋哈密顿量参数进行密度泛函理论计算，以确定这些缺陷的微观结构。我们的结果不支持孤立八面体或四面体镓空位VGa2-的直观模型，而支持镓空位复合体VGa-Gai-VGa模型。
引用
@article{arxiv.1811.05204,
title = {Proton Irradiation Induced Defects in \b{eta}-Ga2O3: a combined EPR and Theory Study},
author = {Hans Jürgen von Bardeleben and Shengqiang Zhou and Uwe Gerstmann and Dmitry Skachkov and Walter R. L. Lambrecht and QuocDuy Ho and Peter Deák},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.05204},
year = {2018}
}
备注
12 figures