氧化镓中无序与应变的相互作用
材料科学
2022-09-14 v2 应用物理
摘要
离子辐照是调控半导体性质的有力工具，特别是对于氧化镓（Ga2O3）——一种在有足够高的应变/无序水平时表现出相不稳定性的 promising ultra-wide bandgap semiconductor。在本文中，我们通过比较原子与团簇离子辐照以及原子离子共注入，观察了单斜\b{eta}-Ga2O3单晶中无序与应变之间有趣的相互作用。通过沟道技术、x射线衍射与理论计算相结合所得结果表明，\b{eta}-Ga2O3中的无序积累作为碰撞级联密度的函数表现出超线性行为。此外，注入区域的应变水平可通过改变近表面层中的无序条件来调控。这些结果可用于更好地理解\b{eta}-Ga2O3中的辐照效应，并意味着无序/应变相互作用提供了额外的自由度以维持Ga2O3中期望的应变，潜在适用于改变该材料多晶型相变的速率。
引用
@article{arxiv.2204.13302,
title = {Interplay of the disorder and strain in gallium oxide},
author = {Alexander Azarov and Vishnukanthan Venkatachalapathy and Platon Karaseov and Andrei Titov and Konstantin Karabeshkin and Andrei Struchkov and Andrej Kuznetsov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.13302},
year = {2022}
}