基于第一性原理的应变对Σ3{111}硅晶界与氧杂质相互作用的影响
材料科学
2022-01-20 v1
摘要
多晶硅中晶界（GBs）与固有缺陷和/或杂质元素的相互作用对其电学行为起决定性作用。应变根据晶界和缺陷类型的不同，在这些体系中扮演重要角色。本文从第一性原理框架出发，考虑全局与局部应变模型，研究了存在间隙氧杂质时Σ3{111}硅晶界的结构与电子性质之间的关联。观察到应变分布与杂质原子数量共同改变了材料的能量学性质。然而，所考虑的硅晶界的电子性质并未受到应变和氧杂质的显著影响，除非极高的局部畸变诱导出额外的结构缺陷。
引用
@article{arxiv.2201.07522,
title = {Effect of Strain on Interactions of {\Sigma}3{111} Silicon Grain Boundary with Oxygen Impurities from First Principles},
author = {Rita Maji and Julia Contreras-García and Eleonora Luppi and Elena Degoli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.07522},
year = {2022}
}
备注
EMRS-spring meeting 2021: Defect-induced effects in nanomaterials