通过注入顺磁中心制备 InGaAs 自旋滤波器
材料科学
2013-09-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了通过聚焦离子束注入 Ga 离子，在非磁性 InGaAs 层中选择性创建自旋过滤区域。光致发光光谱分析表明，在注入区域可实现高达 240% 的自旋依赖复合 (SDR) 比率。通过对跨越四个数量级的不同离子剂量进行系统分析，确定了实现最高效 SDR 的最佳注入条件。施加弱外磁场会导致 SDR 比率显著增强，这源于围绕极化注入顺磁缺陷的核自旋极化。
引用
@article{arxiv.1309.3434,
title = {Fabrication of an InGaAs spin filter by implantation of paramagnetic centers},
author = {C. T. Nguyen and A. Balocchi and D. Lagarde and T. T. Zhang and H. Carrère and S. Mazzucato and P. Barate and T. Amand and X. Marie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.3434},
year = {2013}
}