不同掺杂密度的 InGaAs 和 GaAs 外延层中的电流诱导自旋极化
介观与纳米尺度物理
2017-11-22 v1
摘要
在具有不同铟浓度和硅掺杂密度的 InGaAs 外延层中测量了电流诱导自旋极化和动量依赖的自旋轨道场。发现具有更高铟浓度、更高载流子浓度和更低迁移率的样品具有更大的电学自旋产生效率。此外，尽管缺乏可测量的自旋轨道场，仍在 GaAs 外延层中检测到电流诱导自旋极化，表明必须考虑对自旋极化机制的外禀贡献。基于一个模型的理论计算，该模型除了内禀的 Rashba 和 Dresselhaus 自旋轨道耦合外，还包括了对自旋退相干和自旋霍尔效应的外禀贡献，发现其与实验结果定性一致。
关键词
引用
@article{arxiv.1706.00351,
title = {Current-induced spin polarization in InGaAs and GaAs epilayers with varying doping densities},
author = {M. Luengo-Kovac and S. Huang and D. Del Gaudio and J. Occena and R. S. Goldman and R. Raimondi and V. Sih},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.00351},
year = {2017}
}
备注
16 pages, 8 figures