量子阱中逆自旋电流效应的理论
介观与纳米尺度物理
2018-07-04 v1
摘要
理解自旋与电荷密度及电流通过自旋轨道耦合相互转换的基本原理，能够促成超越传统电子学能力的高效应用。为此，我们考虑半导体量子阱和-epilayers中各种形式的频率依赖逆自旋电流效应（ISGE），并计入Rashba和Dresselhaus形式下电子动量的三次自旋轨道耦合，聚焦于电流诱导自旋极化（CISP）。我们发现，包含三次项定性地解释了近期在InGaAs外延层中CISP的发现：当内禀自旋轨道耦合场最小时CISP最强，反之亦然（Norman等 2014, Luengo等 2017），这与通常理解相反。我们的结果为未来自旋电子学器件中自旋输运的控制提供了一个有前景的框架。
引用
@article{arxiv.1804.03607,
title = {Theory of the inverse spin galvanic effect in quantum wells},
author = {Amin Maleki Sheikhabadi and Iryna Miatka and E. Ya. Sherman and Roberto Raimondi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.03607},
year = {2018}
}
备注
13 pages, 12 figures