稀氮化物中自旋活性复合中心的深能级结构
材料科学
2024-05-07 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
镓间隙缺陷（Ga）被认为对GaAsN稀氮化物半导体中显著的自旋依赖复合（SDR）负责。当前理解将该缺陷与对应于(+/0)和(++/+)电荷态跃迁的两个带隙内能级相关联。利用自旋敏感的光诱导电流瞬态谱，揭示了 = 0.021合金的带隙内电子结构。(+/0)态位于导带边下方约0.27 eV处，而一个反常的负激活能揭示出带隙中并非一个而是\textit{两个}其他态的存在。观测结果与一个(++/+)态位于价带边上方约0.19 eV、以及一个迄今被忽略的(+++/++)态位于价带边上方约25 meV相一致。这些观测可为更好地建模SDR及Ga缺陷的局域化学环境的努力提供信息。
引用
@article{arxiv.2310.18094,
title = {Deep-level structure of the spin-active recombination center in dilute nitrides},
author = {A. C. Ulibarri and C. T. K. Lew and S. Q. Lim and J. C. McCallum and B. C. Johnson and J. C. Harmand and J. Peretti and A. C. H. Rowe},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.18094},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 5 figures plus Supplementary Material