GaAsN 稀氮化合物半导体中的巨自旋依赖光电导
其他凝聚态物理
2011-04-26 v1
摘要
本文对稀氮 GaAsN 中自旋依赖的光电导进行了理论和实验研究。我们在此建立的非线性输运模型基于电子、空穴、深顺磁和非顺磁中心在连续和脉冲光激发下的速率方程。重点研究了顺磁中心与非顺磁中心之间竞争的影响，这使我们能够重现测得的自旋依赖复合功率依赖特性。特别关注了 Voigt 几何构型中外磁场的作用。光电导呈现出 Hanle 型曲线，而电子的自旋极化显示出两条叠加的、具有不同宽度的 Lorentzian 曲线，分别与自由电子和俘获电子的复合相关。该模型能够定性和定量地重现光致发光和光电流实验的最重要特征，并有助于深入理解 GaAsN 半导体中电子自旋极化和过滤所涉及的各种机制。
引用
@article{arxiv.1010.1039,
title = {Giant spin-dependent photo-conductivity in GaAsN dilute nitride semiconductor},
author = {A. Kunold and A. Balocchi and F. Zhao and T. Amand and N. Ben Abdallah and J. C. Harmand and X. Marie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.1039},
year = {2011}
}
备注
10 pages, 5 figures