稀氮化物半导体中室温巨自旋相关光电导
其他凝聚态物理
2010-03-01 v2
摘要
通过将光学自旋注入技术与输运光谱学工具相结合，我们展示了一种自旋光电探测器，该探测器允许在室温下在非磁性GaAsN半导体结构中对导带电子自旋进行电学测量和主动滤波。通过将入射光的偏振从线性切换到圆偏振，我们观察到巨自旋相关光电导（GSP），在无需外加磁场的情况下可达40%。我们表明，GSP是由于氮诱导的镓自间隙顺磁中心对导带电子的非常有效的自旋过滤效应所致。
引用
@article{arxiv.0907.4321,
title = {Room temperature Giant Spin-dependent Photoconductivity in dilute nitride semiconductors},
author = {F. Zhao and A. Balocchi and A. Kunold and J. Carrey and H. Carrère and T. Amand and N. Ben Abdallah and J. C. Harmand and X. Marie},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.4321},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 3 figures