Gddoping诱导的GaN电子态大尺度自旋分裂
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们对Gddoped GaN层中近带隙光致发光在磁场和温度依赖性极化进行了详细研究。本研究揭示了Gddoping对GaN基质中电子态异常强大的影响。我们观察到，当Gddoping浓度低于1.6×10^16 cm^-3时，价带的自旋分裂会逆转其符号。这种显著结果只能通过Gion对周围GaN基质中磁矩的长程诱导来解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509198,
title = {Large spin splitting of GaN electronic states induced by Gd doping},
author = {V. F. Sapega and M. Ramsteiner and S. Dhar and O. Brandt and K. H. Ploog},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509198},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 3 Figures