GaAsN 合金中的自旋依赖复合
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
在室温下观察到GaAs_{1-x}N_{x}（x=2.1, 2.7, 3.4%）中的自旋依赖复合（SDR）。其表现为当激发光偏振从圆偏振改变为线偏振，或施加约300高斯的横向磁场时，边缘光致发光（PL）强度下降超过3倍。圆偏振光的间带吸收导致载流子自旋偏极化，随泵浦强度增加可达35%。所观察的现象解释为深层-paramagnetic 中心的动态偏极化及载流子对这些中心的自旋依赖捕获。横向磁场中的PL 去极化（Hanle 效应）允许我们估计载流子自旋松弛时间在1纳秒范围内。理论上，由于SDR，此长松弛时间由束缚电子的慢速自旋松弛控制。通过实验测得的束缚电子g因子的正号可从其在磁场中的平均自旋旋转方向确定。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508222,
title = {Spin-dependent recombination in GaAsN alloys},
author = {V. K. Kalevich and E. L. Ivchenko and M. M. Afanasiev and A. Yu. Egorov and A. Yu. Shiryaev and V. M. Ustinov and B. Pal and Y. Masumoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508222},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures, submitted to JETP Letters