连续波泵浦下GaAsN合金中的光学取向和自旋相关复合

我们提出了对具有深顺磁中心的半导体中自旋相关复合及其对光电子自旋光学取向影响的系统性理论研究。为此，我们推广了通过深中心进行电子和空穴复合的Shockley-Read理论，并考虑了自由电子和束缚电子的光致自旋极化。从考虑具有三个电荷态的缺陷开始，我们转向具有九个参数的两个电荷态模型，并表明它与未掺杂GaAsN合金的现有实验数据兼容。在弱泵浦和强泵浦极限下，我们推导出简单的解析方程，这些方程有助于预测和解释实验结果。比较并讨论了自旋相关复合比和光致发光圆偏振度对泵浦强度和横向磁场的实验和理论依赖性。