硅太阳能电池效率分析：掺杂类型与掺杂水平优化
材料科学
2015-06-11 v1
摘要
针对n型和p型基底的高效硅太阳能电池（SC），进行了光伏转换效率的理论分析。考虑了硅体内Shockley-Read-Hall复合由Fe深能级决定情形。结果表明，由于该能级复合参数的不对称性，随着掺杂增加，n型基底SC的光伏转换效率升高，而p型基底SC的效率降低。在分析时考虑了带间俄歇复合寿命对基底掺杂水平依赖关系的两种近似。给出了基于异质结本征薄层（HIT）太阳能电池关键特性的实验结果。对HIT电池特性的实验值与计算值进行了比较。由此确定了表面复合速度和串联电阻，且实验与计算的SC参数值完全吻合。
引用
@article{arxiv.1506.03132,
title = {Silicon solar cells efficiency analysis. Doping type and level optimization},
author = {A. V. Sachenko and V. P. Kostylyov and M. V. Gerasymenko and R. M. Korkishko and N. R. Kulish and M. I. Slipchenko and I. O. Sokolovskyi and V. V. Chernenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.03132},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 6 figures