表面中心对有效表面复合速率及硅太阳能电池参数的影响
材料科学
2013-04-30 v1
摘要
本文报道了关于指数分布的表面中心对有效表面复合速率及硅太阳能电池 (SCs) 参数影响的研究结果。在我们的计算中，我们假设受主和施主表面态分别位于禁带的上部和下部。该模型还假设在能隙中间存在一个离散的表面能级。在连续分布中心的积分浓度与深表面能级的浓度相当的情况下，这些中心仅能通过复合影响太阳能电池参数。如果连续分布中心的浓度与表征绝缘体中内置电荷的浓度相当或更高，则这些中心直接影响表面能带弯曲和光生电动势。借助计算机模拟，确定了通过连续分布表面中心的表面复合速率超过通过深离散能级的复合速率的条件。计算了与通过连续分布中心的复合相关的倒置硅太阳能电池开路电压的降低。将获得的理论结果与实验数据进行了比较。
引用
@article{arxiv.1304.7680,
title = {Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells},
author = {V. P. Kostylyov and A. V. Sachenko and I. O. Sokolovskyi and V. V. Chernenko and T. V. Slusar and A. V. Sushyi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.7680},
year = {2013}
}