光浸泡对不同结构硅异质结太阳能电池的影响
应用物理
2021-07-02 v1 材料科学
摘要
在本文中,我们研究了长时间光照暴露对硅异质结太阳能电池的影响。我们表明,尽管在使用具有最佳厚度的本征层和p型层的器件中,光照暴露系统地提高了太阳能电池效率,但对于光入射侧(p)层厚度不足的器件,该处理会导致性能退化。我们的结果表明,这种退化是由光照暴露导致(i/p)层堆叠的空穴选择性降低引起的。当使用足够厚的(p)层,或避免(p)层暴露于紫外光时(如工业中常用的背结结构),可避免退化。此外,施加正向偏置电流或红外光暴露可使所有研究的太阳能电池效率提升,与(p)层厚度无关,证实了复合对硅异质结太阳能电池性能的有益影响。
引用
@article{arxiv.2107.00291,
title = {Influence of Light Soaking on Silicon Heterojunction Solar Cells With Various Architectures},
author = {Jean Cattin and Laurie-Lou Senaud and Jan Haschke and Bertrand Paviet-Salomon and Matthieu Despeisse and Christophe Ballif and Mathieu Boccard},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.00291},
year = {2021}
}