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三(8-羟基喹啉)铝中自旋相关的载流子复合过程

介观与纳米尺度物理 2020-09-09 v1 材料科学

摘要

我们利用连续波与脉冲电检测磁共振(EDMR)光谱,在室温下研究了发光二极管中三(8-羟基喹啉)铝(Alq3_3)薄膜内自旋相关载流子复合的性质与动力学。我们发现 EDMR 信号主要由电子-空穴复合过程主导,并存在另一较弱的 EDMR 信号,对其基本性质进行了探究。由脉冲 EDMR 测量我们得到载流子自旋弛豫时间 T2=45±25T_2 = 45\pm 25 ns,其远短于共轭聚合物中的 T2T_2,但对于含高原子序数元素的分子而言相对较长。利用多频连续波 EDMR 光谱,我们获得了电子与空穴的局域超精细场分布,以及各自由自旋-轨道耦合诱导的 g 因子与 g-应变值。

关键词

引用

@article{arxiv.2004.00765,
  title  = {Spin-Dependent Charge-Carrier Recombination Processes in Tris(8-Hydroxyquinolinato) Aluminum},
  author = {H. Popli and X. Liu and T. H. Tennahewa and M. Y. Teferi and E. Lafalce and H. Malissa and Z. V. Vardeny and C. Boehme},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2004.00765},
  year   = {2020}
}

备注

18 pages, 5 figures