含氧化物沉淀的直拉硅中自旋依赖复合
材料科学
2012-01-11 v1
摘要
采用电探测磁共振来识别一组直拉生长硅样品中的复合中心，这些样品经过处理含有密度范围宽广 (~ 1e9 cm-3 至 ~ 7e10 cm-3) 的应变氧化物沉淀。测量表明，光激发载流子通过 Pb0 和 Pb1 悬挂键复合，与无沉淀材料对比显示这些悬挂键同时存在于样品表面和氧化物沉淀处。电子复合速率随沉淀密度近似线性变化。还观测并讨论了由铁-硼间隙和间隙铁引起的额外共振线。我们的观测与热辐射加热不一致，而用自旋依赖复合来解释。因此，电探测磁共振是一种非常强大且灵敏的光谱技术，可用于选择性探测现代光伏器件材料中的复合中心。
引用
@article{arxiv.1110.6727,
title = {Spin-dependent recombination in Czochralski silicon containing oxide precipitates},
author = {V. Lang and J. D. Murphy and R. J. Falster and J. J. L. Morton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.6727},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 8 figures