MoSe2/hBN/Ni杂化结构中的自旋依赖电荷转移
材料科学
2022-01-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了由MoSe2/hBN/Ni构成的杂化二维半导体/铁磁结构的磁光致发光测量。当镍层被磁化时，在线性偏振激发下，我们观察到MoSe2单层中耳子峰的圆偏振光致发光。当Ni的磁化饱和且垂直于样品平面时，该圆偏振的建立可达约4%的测量值，并在磁化反向时改变符号。圆偏振随hBN势垒厚度增加而减小。这些结果用MoSe2单层与镍膜之间的自旋依赖电荷转移来解释。圆偏振的建立观测至120 K，主要受随温度消失的耳子发射限制。
引用
@article{arxiv.2110.13007,
title = {Spin dependent charge transfer in MoSe2/hBN/Ni hybrid structures},
author = {H. Tornatzky and C. Robert and P. Renucci and B. Han and T. Blon and B. Lassagne and G. Ballon and Y. Lu and K. Watanabe and T. Taniguchi and B. Urbaszek and J. M. J. Lopes and X. Marie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.13007},
year = {2022}
}