h-BN/Ni(111) 表面 C60 振荡运动诱导的电荷转移
材料科学
2016-08-31 v1 强关联电子
摘要
研究了单层 C60 位于单层六方晶体硼氮 (h-BN) 上的镍表面的情况。实验中发现,在 150 到 250 K 时,工作函数下降,且最高占据分子轨道(HOMO)的结合能提高约 100 meV。同时,最低未占据分子轨道(LUMO)的占据度发生约 0.4 个电子的变化。这种电荷再分配是由分子振荡运动启动的,即由 LUMO 与基片之间取向相关的隧穿所致。电荷转移的大小较大,无法用单粒子图景解释。我们提出这涉及电子-声子耦合,其中 C60- 极性子形成导致电子自约束。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409429,
title = {Rocking motion induced charging of C60 on h-BN/Ni(111)},
author = {M. Muntwiler and W. Auwarter and A. P. Seitsonen and J. Osterwalder and T. Greber},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409429},
year = {2016}
}
备注
15 pages, 4 figures