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U(Ru$_{1-x}$Rh$_x$)$_2$Si$_2$ 的电阻率与磁化：最高 45 T 磁场下的测量

材料科学 2009-11-10 v1 强关联电子

作者: Z. H. Lu , C. C. Lo , C. J. Huang , M. W. C. Dharma-wardana , Marek Z. Zgierski

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摘要

本稿包含用于提取相图和量子临界性特征的原始数据，这些特征将在 2004 年的 Physical Review Letters 中呈现。所有原始电阻率数据均展示，而仅展示经样品基底减除处理后的磁化数据。

关键词

电阻率磁化 U(Ru$_{1-x}$Rh$_x$)$_2$Si$_2$ 量子临界性高磁场

引用

@article{arxiv.cond-mat/0411067,
  title  = {Metallic behaviour of carrier-polarized C$_{60}$ molecular layers: Experiment and Theory},
  author = {Z. H. Lu and C. C. Lo and C. J. Huang and M. W. C. Dharma-wardana and Marek Z. Zgierski},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411067},
  year   = {2009}
}

备注

4 PRL style pages, 2 figures. email: [email protected]