硅中涉及氧 - 空位复合物的自旋依赖复合
材料科学
2014-07-22 v2
摘要
利用连续波 (cw) 和脉冲电探测磁共振 (EDMR) 研究了 辐照 型直拉硅中的自旋依赖弛豫和复合过程。观察到涉及 SL1 中心（氧 - 空位复合物的中性激发三重态）的两个过程，可通过其不同的动力学加以区分。其中一个过程是激发态 SL1 弛豫至氧 - 空位复合物的基态，另一个是 P 施主与形成紧密对的 SL1 中心之间的电荷转移，这一点由电探测电子双共振所指示。对于这两个过程，均利用脉冲 EDMR 技术研究了复合动力学。我们证明了自旋 1 系统实现真正的零场 cw 和脉冲 EDMR 的可行性，并利用此方法测量了即使在外部磁场消失时 SL1 不同自旋态的寿命。
引用
@article{arxiv.1402.5957,
title = {Spin-dependent recombination involving oxygen-vacancy complexes in silicon},
author = {David P. Franke and Felix Hoehne and Leonid S. Vlasenko and Kohei M. Itoh and Martin S. Brandt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.5957},
year = {2014}
}
备注
13 pages, 11 figures