硅中传导电子的自旋-轨道对称性
材料科学
2015-03-19 v2
摘要
我们推导了一个自旋相关的哈密顿量，该哈密顿量捕捉了硅中能带边缘态对称性。我们给出了多谷导带中自旋相关态以及由电子-声子相互作用导致的自旋弛豫的解析表达式。我们发现与实验结果高度吻合。类似于 Kane 哈密顿量在直接带隙半导体中的应用，这个新的哈密顿量可用于研究硅中电子的自旋性质。
引用
@article{arxiv.1103.3800,
title = {Spin-Orbit Symmetries of Conduction Electrons in Silicon},
author = {Pengke Li and Hanan Dery},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.3800},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 1 figure, 1 table