材料模拟的自洽且环境依赖的哈密顿量：硅结构案例研究
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
可靠的材料模拟半经验哈密顿量必须允许电子筛选和电荷重新分布效应。基于原子轨道混合（LCAO）框架，已构建用于材料模拟的自洽且环境依赖（SCED）哈密顿量。该哈密顿量包含环境依赖的多中心相互作用项和电子-电子关联项，允许电子筛选和电荷重新分布效应。作为案例研究，我们为硅开发了SCED/LCAO哈密顿量。通过考察多种不同硅结构，展示了该哈密顿量的鲁棒性。具体包括：(i) 硅的体相图，(ii) 中等大小Si71簇的结构，(iii) Si(100)表面的重构，以及(iv) 硅单体吸附于重构Si(111)-7x7表面上的能量景观。硅SCED/LCAO哈密顿量在上述应用中成功工作，其中硅以各种不同的配位数存在，彰显了该方案的预测能力。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0402544,
title = {Self-Consistent and Environment-Dependent Hamiltonians for Materials Simulations : case Studies on Silicon Structures},
author = {C. Leahy and M. Yu and C. S. Jayanthi and S. Y. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0402544},
year = {2007}
}
备注
40 pages, 5 figures, 5 tables