硅中声子诱导自旋弛豫过程的分析
材料科学
2013-05-21 v2
摘要
我们研究了由于电子 - 声子相互作用导致的硅中导带电子自旋弛豫的所有主导阶贡献。利用群论、k\cdot p 微扰法和刚性离子模型，我们推导出了多谷导带中所有重要自旋翻转跃迁的大量矩阵元表达式。散射角明确依赖于电子波矢、声子极化、谷位置以及电子的自旋取向。将推导出的解析表达式与经验赝势和绝热能带电荷模型的结果进行比较，显示出极好的一致性。
关键词
引用
@article{arxiv.1201.6660,
title = {Analysis of phonon-induced spin relaxation processes in silicon},
author = {Yang Song and Hanan Dery},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.6660},
year = {2013}
}
备注
30 pages,10 figures