GaSe 纳米板中的近单位光学自旋极化
介观与纳米尺度物理
2015-05-27 v2
摘要
我们报道了在过量能量为 0.2 eV 的泵浦下，GaSe 纳米板中光吸收与光致发光 (PL) 之间“自旋记忆”的近乎完全保持。在低温下，PL 的初始圆偏振度 () 趋近于 1，且在亚 100-nm 的 GaSe 纳米板中，大部分自旋极化的衰减时间常数 500 ps。即使在室温下，也观测到高达 0.7 的 ，而在带边以上 1 eV 处泵浦时， = 0.15。电子和空穴的角动量保持归因于非简并导带和价带与其他能带的分离。与原子级薄 TMDs 中的谷极化不同，此处光学自旋极化在 100 层或更多层的 GaSe 纳米板中得以保持。
引用
@article{arxiv.1410.5523,
title = {Near Unity Optical Spin Polarization in GaSe Nanoslabs},
author = {Yanhao Tang and Wei Xie and Krishna C. Mandal and John A. McGuire and C. W. Lai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.5523},
year = {2015}
}