高光激发半导体微腔中的自旋极化激光

我们展示了在高度光激发的 GaAs 微腔中实现的室温自旋极化超快（$\sim$10 ps）激光发射。该微腔嵌有 InGaAs 多量子阱，其自旋弛豫时间小于 10 ps。即使由非共振椭圆偏振光激发，激光辐射仍保持高度圆偏振。激光能量不锁定于裸腔共振，并随光激发密度变化而发生约 $\sim$10 meV 的频移。这种自旋极化激光归因于相关电子 - 空穴对的自旋依赖受激过程。这些电子 - 空穴对形成于与腔光场耦合的高密度电子 - 空穴等离子体的费米边附近。