具有 GaAs 量子阱的手性调制半导体微腔中的圆偏振激射
光学
2017-04-04 v1
摘要
我们报道了在室温光泵浦下，有源区包含 12 个 GaAs 量子阱且顶部具有手性刻蚀分布式 Bragg 折射器的 AlAs/AlGaAs Bragg 微腔在 和 1.522 eV 处的椭圆偏振（接近圆偏振）激射。使用具有大介电常数对比度的手性光子晶体的优势在于其巨大的光学活性，这使得制造非常薄的半波片（厚度在发射光波长量级）并实现对圆偏振的单片控制成为可能。
引用
@article{arxiv.1607.08210,
title = {Circularly polarized lasing in chiral modulated semiconductor microcavity with GaAs quantum wells},
author = {A. A. Demenev and V. D. Kulakovskii and C. Schneider and S. Brodbeck and M. Kamp and S. Höfling and S. V. Lobanov and T. Weiss and N. A. Gippius and S. G. Tikhodeev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.08210},
year = {2017}
}