利用对准晶体的双折射特性实现多GeV光子的线偏振到圆偏振转换
高能物理 - 实验
2007-05-23 v2
摘要
我们首次展示了使用厚对准硅晶体作为四分之一波片，在高能线偏振光子束中诱导圆偏振分量的实验结果。线偏振光子束由178 GeV非偏振电子入射到作为辐射体的对准硅晶体上产生的相干轫致辐射产生。通过测量在不同晶体取向下锗晶体中电子-正电子对产生的不对称性来表征光子束的线偏振。因此，锗晶体充当分析器。通过让线偏振光子束穿过厚硅四分之一波片晶体，然后再次测量辐射体、分析器和四分之一波片的晶面之间相对角度的一系列选择下的电子-正电子对产生不对称性，观察到了将线偏振转换为圆偏振的双折射现象。理论预测，有和没有四分之一波片时测量到的不对称性之间的系统差异将揭示斯托克斯参数的演化，从而可以证明光子束中圆偏振分量的出现。测得的圆偏振分量的大小与理论预测一致，因此表明双折射效应的存在。
引用
@article{arxiv.hep-ex/0306041,
title = {Linear to Circular Polarisation Conversion using Birefringent Properties of Aligned Crystals for Multi-GeV Photons},
author = {NA59 Collaboration and A. Apyan and R. O. Avakian and B. Badelek and S. Ballestrero and C. Biino and I. Birol and P. Cenci and S. H. Connell and S. Eichblatt and T. Fonseca and A. Freund and B. Gorini and R. Groess and K. Ispirian and T. J. Ketel and Yu. V. Kononets and A. Lopez and A. Mangiarotti and B. van Rens and J. P. F. Sellschop and M. Shieh and P. Sona and V. Strakhovenko and E. Uggerhoj and U. I. Uggerhoj and G. Unel and M. Velasco and Z. Z. Vilakazi and O. Wessely},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ex/0306041},
year = {2007}
}
备注
12 pages, 12 figures, 1 table, REVTeX4 two column, Version for publication