GaN/GaMnN 铁磁共振隧穿二极管中的室温自旋过滤效应
介观与纳米尺度物理
2014-04-03 v1
摘要
我们研究了在发射极和量子阱层由铁磁 GaMnN 制成的共振隧穿二极管中，无外加磁场时的自旋电流极化。为此，我们应用了自洽 Wigner-Poisson 方法，并研究了铁磁层中磁化平行与反平行排列的自旋极化效应。我们的计算结果表明，反平行磁化对于自旋过滤操作更为有利，可在低温下实现完全的自旋电流极化，并在室温下实现 35% 的电流自旋极化。
引用
@article{arxiv.1301.6544,
title = {Spin filter effect at room temperature in GaN/GaMnN ferromagnetic resonant tunneling diode},
author = {P. Wójcik and J. Adamowski and M. Wołoszyn and B. J. Spisak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.6544},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 5 figures