横向石墨烯晶体管中的室温两端口隧穿磁阻
介观与纳米尺度物理
2021-11-23 v1 应用物理
摘要
我们研究了一种采用标准大规模微加工工艺制备的横向石墨烯晶体管中,在高达室温及外部栅压下,通过四探针非局域和两探针局域构型测量的纯自旋和自旋极化电流的行为。沟道中本征石墨烯的高自旋扩散长度(通过直接测量和Hanle效应测得)以及器件结构中存在的电极电阻面积关系的调谐,使我们能够观察到室温下的局域隧穿磁阻,这是此类器件的一项新发现。结果还表明,虽然纯自旋电流对温度变化较不敏感,但由于Rashba效应和费米能级移动引起的载流子迁移率变化共同作用,通过外部电压进行自旋极化电流开关更为高效。
引用
@article{arxiv.2111.10606,
title = {Room temperature two terminal tunnel magnetoresistance in lateral graphene transistor},
author = {C. I. L. de Araujo and H. A. Teixeira and O. O. Toro and C. Liao and J. Borme and L. C. Benetti and D. Schafer and I. S. Brandt and R. Ferreira and P. Alpuim and P. P. Freitas and A. A. Pasa},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.10606},
year = {2021}
}