硅中自旋扩散长度的温度依赖性：基于Hanle型自旋进动的研究
材料科学
2015-05-18 v1
摘要
我们采用Hanle型自旋进动方法，结合非局域磁电阻测量，在重掺杂（5×10^19）硅沟道中进行了实验。通过Hanle方法获得的自旋扩散长度与非局域信号间隙依赖关系得到的结果吻合良好。我们分别评估了界面和体沟道效应，并证明非局域信号温度依赖性的主要来源是隧道势垒与硅之间界面处自旋极化的降低。
引用
@article{arxiv.1003.1777,
title = {Temperature dependence of spin diffusion length in silicon by Hanle-type spin precession},
author = {T. Sasaki and T. Oikawa and T. Suzuki and M. Shiraishi and Y. Suzuki and K. Noguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.1777},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 4 figure, To appear in Applied Physics Letters.