自旋滤波赝自旋阀器件中的自旋极化准粒子隧穿
介观与纳米尺度物理
2016-09-01 v1
摘要
自旋滤波隧道结的自旋选择特性可与传统金属铁磁体相结合，以调控超导器件中的自旋极化准粒子。我们报道了由氮化物自旋滤波隧道势垒（DyN 或 GdN）与过渡金属铁磁体（Co 和 Gd）双层构成的赝自旋阀器件的制备。我们展示了这些器件中对应于其相互磁化方向平行和反平行构型的电阻切换。通过优化沉积工艺，可实现 Co 层的部分氮化。Co-DyN 界面处的磁性死层原生 CoN 层在这些器件中充当势垒的角色。在含 Co 的赝自旋阀中，反平行态相较于平行构型表现出更低的电阻。对于含 Gd 的赝自旋阀，则观察到相反的电阻切换行为。这些器件中电阻切换的存在进一步证实了 DyN 和 GdN 隧道势垒的自旋滤波特性。这些器件在不同温度下的准粒子输运被发现与传统 N-I-S 隧穿模型相符。这些器件可进一步设计，以调控超导自旋电子学器件中的自旋极化超流。
引用
@article{arxiv.1608.08820,
title = {Spin-polarized quasiparticle tunneling in spin-filter pseudospin-valve devices},
author = {P. K. Muduli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.08820},
year = {2016}
}
备注
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