具有自旋过滤隧穿势垒的铁磁与超导结中的电子输运

我们提出了一项关于具有自旋过滤势垒 $I_{sf}$ 的通用 $X/I_{sf}/S_{M}$ 结中准粒子和能隙下电导的理论研究，其中 $X$ 为正常金属 $N$ 或铁磁金属 $F$，$S_{M}$ 为具有内置交换场的超导体。我们的研究基于隧穿哈密顿量和格林函数技术。首先，我们关注超导临界温度以上和以下的准粒子输运。我们获得了适用于电极和自旋过滤势垒中任意交换场值和任意磁化方向的隧穿电导通用表达式。在第二部分中，我们考虑了具有自旋过滤势垒的正常金属 - 超导结的能隙下电导。我们启发式地推导了准经典格林函数的新边界条件，这些条件考虑了界面处的自旋过滤效应。借助这些边界条件，我们展示了在 $N/I_{sf}/S$ 结（其中 $N$ 为正常金属）中，近邻效应和能隙下电导如何被自旋过滤所抑制。我们的工作为研究混合结构中正常态和超导态下的自旋极化输运提供了有用的工具。