单层石墨烯中的赝自旋极化量子输运
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1
摘要
具有能隙的单层石墨烯呈现出一种赝自旋对称性破缺的铁磁体，具有垂直的赝磁化强度，其方向可通过改变n型和p型掺杂来切换。我们展示了一种赝自旋阀中的电流开关效应，其中两个赝铁磁区域通过一个正常石墨烯区域连接。所提出的结构表现出一种赝磁阻，其定义为赝磁化强度平行与反平行排列时的电阻相对差，该值可调至1。我们发现这种完美的赝磁开关对接触长度的增加表现出很强的鲁棒性，我们将此效应解释为平衡赝自旋极化通过邻近效应异常长程地渗透到正常区域。我们的结果揭示了带隙石墨烯在实现基于赝自旋的纳米电子学方面的潜力。
引用
@article{arxiv.1110.0637,
title = {Pseudospin polarized quantum transport in monolayer graphene},
author = {Leyla Majidi and Malek Zareyan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.0637},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 5 figures