共振带隙隧穿器中电子自旋极化
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们研究了双垒InAs/AlSb/GaMnSb异结构结构中自旋依赖的共振隧穿。我们证明这些结构可作为自旋滤波器，利用电子通过轻空穴共振通道的自旋选择性隧穿。注入到基体InAs中的高密度自旋极化电子使自旋共振隧穿器成为向半导体注入自旋的可行方案。另一个显著特征是，通过饱和量子阱中的面内磁化，可以实现额外的共振通道 corresponding to heavy holes。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0211300,
title = {Electron Spin Polarization in Resonant Interband Tunneling Devices},
author = {A. G. Petukhov and D. O. Demchenko and A. N. Chantis},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0211300},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 4 eps figures