通过间接带隙半导体障壁实现的电子隧穿自旋偏极化
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们研究了电子通过具有间接X（或D）极小点作为隧穿障壁的锌磷化物半导体中的自旋依赖隧穿。与通过G点隧穿不同，X点处的两个自旋带具有线性k空间自旋轨道分裂，而G点处的自旋带则具有k3 Dresselhaus型自旋分裂。我们使用密度泛函理论计算了X点自旋分裂线性系数b，并基于隧穿障壁模型计算了传输特性。我们表明，通过这种方式既可以得到较大的隧穿系数，也可以实现较大的自旋偏极化，表明这些材料有望作为自旋滤波器的潜在应用材料。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505243,
title = {Spin Polarization via Electron Tunneling through an Indirect-Gap Semiconductor Barrier},
author = {Subodha Mishra and Sunita Thulasi and Sashi Satpathy},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505243},
year = {2009}
}
备注
9 pages