自旋极化隧穿 Through 薄膜
无序系统与神经网络
2009-11-07 v1
摘要
在单束相位近似（CPA）框架下，考虑自旋无序散射对磁性单层中垂直传输的作用。采用 模型处理导电电子与磁性离子局域磁矩之间的交换相互作用。评估隧道电流中的电子自旋极化，这种极化来源于铁磁半导体（EuS）中导电电子自旋上、下密度在费米能级的差异。计算结果与一些隧道实验进行了比较。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0112431,
title = {Spin-polarized tunneling through a thin-film},
author = {Alireza Saffarzadeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0112431},
year = {2009}
}
备注
5 pages, LaTex, 2 EPS figures