自旋隧穿间接势垒的第一性原理计算
材料科学
2009-01-15 v1
摘要
我们使用全相对论层格林函数方法，研究了沿[100]方向的对称间接带隙势垒（如GaAs/AlAs/GaAs异质结构）的自旋相关隧穿。该方法基于线性糕模轨道，并在局域密度近似（LDA）下的密度泛函理论（DFT）框架内。我们发现我们的第一性原理计算结果与我们先前经验紧束缚模型的预测[Phys. Rev. B, 075313 (2006)]非常吻合。此外，我们展示了先前模型中未包含的自旋极化的依赖性。第一性原理计算表明，由于能带非抛物性，透射率和自旋极化对有强烈的依赖性。对于8个AlAs单分子层的势垒，在 = 0.03 时，发现了25-50%的大自旋极化窗口。我们的计算清楚地表明，具有显著自旋极化的能量窗口的出现主要取决于透射共振的位置及其相应的零点，而不是势垒中自旋劈裂的大小。
引用
@article{arxiv.0901.2021,
title = {Ab-initio calculations of spin tunneling through an indirect barrier},
author = {Athanasios N Chantis and Titus Sandu and Jialei L Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.2021},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 3 figures