通过SiO₂隧道势垒向Si(001)的电学自旋注入
材料科学
2015-05-14 v1
摘要
我们展示了从Fe通过SiO₂隧道势垒进入Si n-i-p异质结构的自旋极化隧穿。输运测量表明，单步隧穿是主要的输运机制。电致发光(EL)的圆偏振度Pcirc表明，隧穿自旋极化反映了Fe的主自旋。Pcirc追踪Fe的磁化强度，证实了在Si中辐射复合的自旋极化电子来源于Fe。速率方程分析给出了5 K时Si中电子自旋极化的下限为30%。
引用
@article{arxiv.0910.3156,
title = {Electrical spin injection into Si(001) through a SiO2 tunnel barrier},
author = {C. H. Li and G. Kioseoglou and O. M. J. van t Erve and P. E. Thompson and B. T. Jonker},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.3156},
year = {2015}
}
备注
to appear in Appl. Phys. Lett. Oct. 26, 2009